2Т634А-2Н Транзистор
Доставка на склад: | 1 неделя |
---|---|
В наличии: | 67 шт. |
Оптовая цена: | Запросить цену |
Описание и технические параметры
Транзистор 2Т364А-2Н кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный, применяется в генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот от 1 до 5 ГГц в схеме с общей базой в герметизированной аппаратуре. Бескорпусный с защитным покрытием с гибкими выводами на кристаллодержателе. Тип прибора указывается в этикетке. Масса не более 0,15 г.
Технические характеристики транзистора кремниевого эпитаксиально-планарного генераторного 2Т634А-2Н:
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,2 Вт;
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, не менее, МГц – 1500
Максимальное напряжение коллектор-база, В – 30
Максимальное напряжение эмиттер-база, В – 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА – 150
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, мА – 250
Обратный ток коллектора, не более, мкА – 500
Емкость коллекторного перехода, не более, пФ – 2,5
Выходная мощность транзистора, не менее, Вт – 0,45
Описание:
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)
Транзистор
(Транзисторы)